Объем выпуска полупроводниковых изделий по новому технологическому процессу Samsung 3 нм оказался ограниченным, 10 июля пишет японский англоязычный журнал Nikkei Asian Review со ссылкой на собственные источники. 29 июня 2022 года стало известно, что компания Samsung Electronics первой запустила массовое производство микросхем по техпроцессу 3 нм с использованием транзисторов Multi Bridge Channel FET (MBCFET), которые можно отнести к семейству технологий GAAFET (Gate all around field effect transistor).
Таким образом, Samsung вырвалась вперед по отношению к крупнейшему в мире контрактному производителю чипов TSMC как по технологической норме массового производства, так и по применяемым транзисторам. Производство по новому техпроцессу развернуто на заводе в городе Пхентхэк. На этом заводе установлено наиболее передовое оборудование компании. Первыми клиентами на новый техпроцесс станут китайские поставщики специализированного оборудования (ASIC) для майнинга (добычи) криптовалют. По данным источников решение начать производство на заводе в Пхентхэке, обычно используемым компанией для отладки новых производственных процессов, говорит о том, что объем выпуска продукции будут не слишком большими.
Свежие комментарии